オプトエレクロニクス研究室

教授平松和政
hiramatu@elec.mie-u.ac.jp

教授三宅秀人
miyake@elec.mie-u.ac.jp

准教授元垣内敦司
motogaito@elec.mie-u.ac.jp

技術員梅田直明
umeda@elec.mie-u.ac.jp

オプトエレクロニクス研究室ホームページ

近年の半導体産業の発展は目覚ましく，家庭用電化製品をはじめ，情報処理，情報通信等，ほとんど全てのシステムで半導体を用いたデバイスが利用されています．現在ではシリコン (Si)やガリウム砒素(GaAs)が主に利用されていますが，21世紀には，半導体デバイス自身の高機能化，高性能化が求められ，省エネルギー，耐環境，高速処理，短波長発光などを目指した半導体デバイスの出現が待たれています．
オプトエレクトロニクス研究室では短波長発光デバイス，耐環境型電子デバイス，高効率太陽電池用材料として有効な半導体であるIII族窒化物半導体（GaN, AlN, InN, AlInGaN）を取り上げ，それらの結晶成長，物性評価，デバイス応用に関する研究を行っています．主な研究テーマは以下のとおりです．

1. III族窒化物半導体の結晶成長と物性評価
GaN等のIII族窒化物半導体の結晶成長と得られた結晶の物性評価を評価を行っています．
・有機金属気相エピタキシャル成長（MOVPE）
・ハイドライド気相エピタキシャル成長（HVPE）
・電気的，光学的物性の評価

2. III族窒化物半導体プロセス技術に関する研究
III族窒化物半導体のドライエッチングとナノ構造作製を行っています．
　・反応性イオンエッチング機構
　・ナノ構造の作製とデバイス応用

3. III族窒化物半導体を用いた光・電子デバイス応用
III族窒化物半導体を用いた光・電子デバイスの作製と特性評価を行っています．
　・紫外線受光素子の特性評価
　・ショットキーダイオードの作製と電気的特性評価

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